SITH耐压容量的控制和调节Control and Adjustment for Voltage Capacity of SITH
姚琢,薛伟东,刘肃
摘要(Abstract)：
分析了 SITH结构的掺杂电阻率、N-基区厚度、沟道尺寸以及终端结构对正向阻断电压的影响 ,分析了其横向自掺杂、沟道尺寸、外延层以及相关因素对栅 -阴极击穿电压的影响 ,讨论了如何进行正向阻断电压和栅 -阴极击穿电压的控制和调节
关键词(KeyWords)： SITH;正向阻断电压;栅阴击穿电压
基金项目(Foundation): 甘肃省自然科学基金 (ZS0 0 1- A2 5 - 0 4 4 - C)资助项目
作者(Author): 姚琢,薛伟东,刘肃
DOI: 10.13885/j.issn.0455-2059.2001.05.008
参考文献(References)：
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